文件名称：论文研究- 采用ICPCVD工艺生长氮化硅对InP表面钝化的研究 .pdf
文件大小：300KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-05 06:23:53
肖特基二极管
采用ICPCVD工艺生长氮化硅对InP表面钝化的研究 ，陈俊，王一栋，低温工艺下生长的氮化硅对InP器件具有较好的钝化效果。为了研究InP表面的钝化效果，本文采用ICPCVD的方法在InP衬底上生长氮化硅钝化层
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