论文研究-富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究 .pdf

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文件名称：论文研究-富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究 .pdf

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更新时间：2022-09-06 17:21:51

微电子学与固体电子学

富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究，杨帆，杨瑞霞，采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟( InP)熔体, 并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫��