论文研究-LEC法生长InP单晶结构与缺陷研究 .pdf

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更新时间：2022-09-05 03:51:29

微电子学与固体电子学

LEC法生长InP单晶结构与缺陷研究，陈爱华，杨瑞霞，运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体，并利用液封直拉法(L EC )生长出了3英寸富磷掺铁InP单晶。运用高分辨率X射线衍