论文研究-SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究 .pdf

【文件属性】：

文件名称：论文研究-SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究 .pdf

文件大小：285KB

文件格式：PDF

更新时间：2022-09-10 13:56:09

SiC

SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究，徐伟，刘雪绞，近年来大直径SiC单晶体的生长是国内外研究的重点，SiC是一种宽带隙半导体材料、第三代半导体材料的代表。物理气相传输法（PVT）是生