文件名称：论文研究-6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究 .pdf
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文件格式：PDF
更新时间：2022-09-06 05:18:32
SiC
6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究，林涛，李佳，采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.4%）的SiCGe薄膜样品，研究��
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