论文研究-生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性 .pdf

时间:2022-09-04 06:25:22
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更新时间:2022-09-04 06:25:22

分子束外延

生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性,梅菲,付秋明,本文研究了用射频等离子体援助分子束外延,生长在蓝宝石衬底上的Al0.30Ga0.70N/GaN异质结。20纳米的Al0.30Ga0.70N阻挡层沉积在2微米的半绝缘


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