文件名称：离子束增强沉积制备Li掺杂ZnO薄膜 (2014年)
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更新时间：2024-06-11 03:32:16
自然科学 论文
利用离子束增强沉积(IBED)法制备了Li掺杂ZnO薄膜(LZO),溅射靶为Li/Zn原子比为5%ZnO的陶瓷靶,实验结果显示:IBED法制备的(LZO)薄膜具有ZnO纤锌矿结构,在500℃高纯氩气下退火35min,薄膜表现为p型导电,薄膜的最低电阻率为35.03Ω・cm,制备的薄膜在可见光范围内的平均透过率在80%以上,p型LZO薄膜禁带宽度小于本征ZnO(3.37eV)。