离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件 (2005年)

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文件名称：离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件 (2005年)

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更新时间：2024-06-15 04:06:27

自然科学 论文

用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和w的VO2多晶薄膜，明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现，薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度，该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到室温附近，获得较高室温电阻-温度系数的薄膜。