文件名称：In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究 (2005年)
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更新时间：2024-06-10 06:36:45
自然科学 论文
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜，表征了薄膜的结构和表面形貌，研究了In掺杂量对ZnO薄膜的结构特性的影响。掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜，θ-2θX射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向；原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其（002）衍射峰强度有关，薄膜具有较低的电阻率（10-1～100Ω·cm）。当In掺杂量为3%时，样品的（002）衍射峰强度最高、压应力较小（7.3×108N/m2）。