文件名称:论文研究-ZnO薄膜晶体管的制备及电学特性表征 .pdf
文件大小:979KB
文件格式:PDF
更新时间:2022-09-11 01:52:30
ZnO
ZnO薄膜晶体管的制备及电学特性表征,张贺秋,胡礼中,ZnO薄膜作为宽禁带的半导体材料,其迁移率较高,在可见光区具有高透射率,低的光灵敏度,使其适于制备ZnO薄膜晶体管,并在平面显示
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ZnO
ZnO薄膜晶体管的制备及电学特性表征,张贺秋,胡礼中,ZnO薄膜作为宽禁带的半导体材料,其迁移率较高,在可见光区具有高透射率,低的光灵敏度,使其适于制备ZnO薄膜晶体管,并在平面显示