文件名称：生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响 (2005年)
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更新时间：2024-05-31 11:33:27
自然科学 论文
采用MOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征.研究表明,GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大.在高温GaN生长初期,适当延长GaN的三维生长时间,能明显改善GaN薄膜的结晶性能,降低薄膜的缺陷密度和本底载流子浓度,使GaN质量明显提高.