文件名称：氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响 (2007年)
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更新时间：2024-06-19 23:07:12
自然科学 论文
采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌.研究表明,GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性能有显著影响.合适的氮化衬底条件可得到表面形貌、发光性能和电学性能均较好的GaN外延膜.研究表明长时间氮化衬底使GaN外延膜表面粗糙的原因可能是由于氮化衬底影响了后续高温GaN的生长模式,促使GaN三维生长所导致的.