论文研究-喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 .pdf

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文件名称：论文研究-喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 .pdf

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更新时间：2022-09-07 11:38:35

氮化镓

喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，张鑫，梁红伟，使用MOCVD设备进行GaN薄膜的生长，通过对喷淋头高度这一参数调整得到不同的几组GaN样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射（XRD）及白�