文件名称：论文研究-SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 .pdf
文件大小：375KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-05 04:35:21
MOCVD
SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，宋琳，梁红伟，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD）方法，在相同的条件下在不同倾角的Si面6H-SiC衬底上生长GaN外延层。采用原子力显微镜(AFM)观察GaN表��
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