真空蒸发法制备CdS薄膜及其性能研究 (2009年)

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文件名称：真空蒸发法制备CdS薄膜及其性能研究 (2009年)
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更新时间：2021-05-09 16:18:48
自然科学 论文 用真空蒸发法制备了CdS薄膜，用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针对薄膜的形貌、结构、光电性能进行分析测试。研究结果表明，不同基片温度下所制备的CdS薄膜主要为六方相，CdS薄膜在（002）晶面有高度的择优取向；不同基片温度下的薄膜对可见光的透光率都超过70%；薄膜的电阻率随基片温度的升高而增大；基片温度为50℃时薄膜的Eg为2.41eV；在200℃退火处理改善了CdS薄膜的质量，结晶度提高，电阻率降低，晶粒尺寸增大；基片温度为50℃时薄膜在200℃退火后的电阻率为255Ωcm。