论文研究-氮离子注入对栅氧化层击穿的影响 .pdf

时间:2022-09-04 11:01:03
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更新时间:2022-09-04 11:01:03

界面态陷阱

氮离子注入对栅氧化层击穿的影响,范呈丰,荣国光,本文介绍了氮植入对超薄栅氧化物[1],[2]的时间相关介质击穿(TDDB)的底层机制研究。据发现,氮植入可以提高TDDB对NMOS的可靠性,同时��


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