论文研究-提高闪存浮栅绝缘氧化层质量的制程改善方法研究 .pdf

时间:2022-09-04 10:52:28
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文件名称:论文研究-提高闪存浮栅绝缘氧化层质量的制程改善方法研究 .pdf

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更新时间:2022-09-04 10:52:28

分栅闪存;编程性能;擦除性能;数据保持性

提高闪存浮栅绝缘氧化层质量的制程改善方法研究,张琳,,自对准分栅闪存具有较高的编程效率(Program Efficiency)及较低的擦除电压(Erase Voltage),是目前闪存领域的研究重点。浮栅(Floating Gate)绝缘


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