论文研究-一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法 .pdf

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文件名称：论文研究-一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法 .pdf
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更新时间：2022-09-12 22:10:09
栅极氧化层 一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法，许喆，，在0.25um以下的高阶制程中，通常使用蚀刻形成STI (Shallow Trench Isolation)浅沟槽的方式来达到元器件相隔绝的目的。由于制程能力的限制，STI