论文研究-GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响 .pdf

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更新时间：2022-09-05 06:59:38
热氧化 GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响，庄睿，夏晓川，通过选择不同温度采用热氧化方式，在GaN基板上预先形成氧化镓薄层，而后以高纯氧气和三乙基镓为反应源，利用低压金属有机化合物气