文件名称：一种P沟VDMOS器件的研究与实现 (2013年)
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更新时间：2024-06-08 14:34:59
自然科学 论文
分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系.采用Silvaeo对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化，并设计了针对该器件的终端结构，完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺，并据此研制出了耐压值80 V、输出电流14A的P沟 VDMOS.测试了其静态和动态参数，均达到了设计要求，