文件名称：VDMOS器件微观结构研究 (2007年)
文件大小：456KB
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更新时间：2024-06-15 04:35:26
工程技术 论文
随着 VDMOS器件的广泛应用及其制作工艺的发展进步,对提高 VDMOS器件性能的研究也日益受到 重视。通过利用扫描电子显微镜( SEM)技术,对 VDMOS器件的纵向结构元素分布及其在硅腐蚀液腐蚀前后的 微观结构变化进行了研究。 SEM图像分析表明各元素分布区域界限明显,经过浓度配比为 w( HF):w ( HNO2 ):w (HAC ) =1:10:7的硅腐蚀液腐蚀后的样品断面的微观结构清晰。