文件名称：功率VDMOS器件的新型SPICE模型 (2013年)
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更新时间：2024-06-13 06:05:32
自然科学 论文
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型。与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联。采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻。分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型。模型仿真值与器件测试值