30伏P沟VDMOS场效应管的设计 (2007年)

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文件名称：30伏P沟VDMOS场效应管的设计 (2007年)

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更新时间：2024-06-04 04:41:41

自然科学 论文

对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计。给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数。较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数，重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层草度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系，对该类器件的实际生产有一定的指导作用。