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文件名称：氮化过程中Ti薄膜的电子结构分析 (2012年)
文件大小：341KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-07 04:44:06
工程技术 论文
建立不同类型的原子团簇模型,利用电荷自洽离散变分法计算了Ti薄膜中不同晶体结构的原子间化学键键能,分析了薄膜中晶体的局域态密度和全态密度,探讨了其电子结构和Ti-N原子间的交互作用变化.结果表明,N原子占据八面体间隙中心位置后,强Ti-N键的形成和原有Ti-Ti键的弱化,促使hcp-Ti中(00. 1)面上的Ti原子沿着<01>方向发生迁移,成为hcp-fcc相变中fcc-Ti亚晶格形成的根源.随着进入hcp-Ti晶格中N原子数的增多,Ti-N结合键数目增加,N2p/Ti 3d-4p杂化价电带的电