多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征* (2011年)

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文件名称：多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征* (2011年)
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更新时间：2021-05-21 03:04:44
工程技术 论文 采用传统陶瓷烧结工艺，制备了直径为50mm，厚度为3mm的Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3、 MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶，采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了 ZnO陶瓷薄膜，并研究了溅射功率和退火温度对ZnO陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响。结果表明：随着溅射功率的增大，ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大；颗粒尺寸先减小后增大。随着退火温度的升高，ZnO陶瓷薄膜的C轴取向增强；晶粒尺寸增大。溅射功率为350W，退火温度为850℃，制备出的陶瓷薄膜的相组成