射频磁控溅射制备Si02薄膜及性能表征 (2010年)

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文件名称：射频磁控溅射制备Si02薄膜及性能表征 (2010年)
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更新时间：2021-05-07 14:08:22
自然科学 论文 采用射频磁控溅射技术,制备4种不同溅射时间的SiO2薄膜。用XRD、PL、FTIR、UV-Vis等对薄膜的微结构、发光、红外吸收以及透、反射进行表征。结果表明：SiO2薄膜仍呈四方晶体结构,平均晶粒尺寸在17.39-19.92nm之间；在430nm附近出现了发光峰,在1049-1022cm-1’之间出现了明显的红外吸收峰,且随着溅射时间的增加发生红移；在可见光范围内平均透射率大于85%.