文件名称:论文研究-射频反应磁控溅射制备VOx薄膜 .pdf
文件大小:1.07MB
文件格式:PDF
更新时间:2022-09-04 11:12:25
VOx薄膜
射频反应磁控溅射制备VOx薄膜,李建峰,吴志明,本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响,在低真空中330 ℃低温退火得到了高性能的VOx 薄膜,制
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VOx薄膜
射频反应磁控溅射制备VOx薄膜,李建峰,吴志明,本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响,在低真空中330 ℃低温退火得到了高性能的VOx 薄膜,制