文件名称：基体温度和氩气压强对射频磁控溅射制备GZO薄膜性能的影响 (2011年)
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更新时间：2024-06-07 01:33:25
自然科学 论文
采用射频磁控溅射方法,用Ga2O3含量为1%的ZnO做靶材,在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜。结果表明:基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响。当温度为500℃,溅射气压为0.2Pa时制备的GZO薄膜光电性能较优,方块电阻为7.8Ω/□,电阻率为8.58×10-4Ω・cm,可见光的平均透过率为89.1%。