低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究 (2011年)

【文件属性】：
文件名称：低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究 (2011年)
文件大小：496KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-10 03:00:48
自然科学 论文 对低压下铜化学机械抛光（CMP）碱性抛光液的性能进行了研究。在分析碱性抛光液作用机理的基础上，对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察。结果表明：加入络合剂R NH2 OH实现铜在碱性抛光液中的溶解，同时提高了的铜移除速率（41.34kPa：1050nm/min；6.89 kPa：440nm/min）并降低了表面粗糙度：在较高压力（41.34 kPa）下，铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm，但仍有明显的划伤存在，并且最大划伤达到了18.2 nm；在低压下（6.89 kPa），铜晶圆表面