文件名称：低压下碱性铜抛光液对3 00mm多层铜布线平坦化的研究* (2012年)
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更新时间：2024-06-07 02:47:45
工程技术 论文
随着微电子技术进一步发展，低K介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液，其不含常用的腐蚀抑制剂，并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下，铜的腐蚀速率较低仅为2nm／min。在低压10．34kPa时，铜的平均去除速率可达633．3nm／min，片内非均匀性(WIWNU)为2．44％。平坦化效率较高，8层铜布线平坦化结果表明，60s即可消去约794．6nm的高低差，且抛光后表面粗糙度低(0．178nm)，表面状态好，结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。