文件名称：低压力下碱性抛光液平坦化的研究
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文件格式：DOC
更新时间：2017-07-09 09:46:53
低压力 CMP 抛光 铜布线
随着微电子技术发展到了65nm及其以下技术节点，金属铜由于其优良的特性取代了传统工艺中所用到的铝，本课题就是基于此基础上对多层铜布线的晶片进行CMP抛光的研究。 新的集成电路制造材料引入了多孔结构的低K介质，使得晶片的耐压力变小，须采用低压力完成平坦化。又因为现在国际主流的酸性抛光液逐渐暴露出诸多弊病，而新兴起的碱性抛光液又不仅能克服这些缺点，还有价格低廉等能够成为通用抛光液的潜质优点，所以当下抓紧研究低压力下碱性抛光液显得势在必行。 本文对CMP过程中各项抛光工艺和抛光液配比进行了实验研究。通过对比实验，研究得出在静态条件下3inch铜的平均腐蚀速率是相当低的，仅为56Å/min，与之对应的3inch铜在低压力下碱性环境的CMP抛光去除速率就高很多，可以达到4000Å/min左右，从而证明了低压力下碱性抛光液平坦化的可实施性；通过改变抛光工艺和抛光液单一变量的实验，分析整合了实验结论和规律，最终得出，适合碱性抛光液的最佳低压力为2psi；抛头/抛盘转速55rpm/60rpm；流量为150ml/min；磨料浓度500ml/L；氧化剂浓度30ml/L；FA/O V螯合剂浓度30ml/L；在此抛光条件下铜的去除速率为：4629Å/min；平坦化效果中的剩余高低差为：3376Å当初始高低差为12037Å时。