射频磁控溅射SiO2薄膜的制备与性能研究 (2006年)

【文件属性】：
文件名称：射频磁控溅射SiO2薄膜的制备与性能研究 (2006年)
文件大小：2.23MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-09 07:23:44
自然科学 论文 采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜。研究了制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、折射率和电击穿场强的影响。结果表明：薄膜的沉积速率随氧分压的增加先急剧减小，稍有增加后再缓慢减小，而随溅射功率的增加几乎呈线性增长；薄膜表面均匀，平均粗糙度分别为1.740m（100W）和2.914nm（300W），有随溅射功率的增加而增加的趋势；薄膜的折射率随着溅射气氛中氧气含量的增加而增加，最后稳定于1.46不变；薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先缓慢增加，然后缓慢减小，通过800℃/100s的快速热处理，薄