射频磁控反应溅射制备 TiO2薄膜 (2010年)

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文件名称：射频磁控反应溅射制备 TiO2薄膜 (2010年)
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更新时间：2021-06-14 08:29:30
自然科学 论文 研究采用射频磁控溅射的方法在石英玻璃基片上制备 TiO2薄膜的最佳工艺条件。薄膜的相组成和微 观组织分别采用 XRD、S EM和 AFM来分析。实验表明:在450℃的基片温度下,使用0.8 Pa的工作气压和20:2 的 Ar:O 2流量比可以获得单一锐钛矿相的 TiO2薄膜。紫外光照射分解甲基橙的实验表明具有单一锐钛矿相的 TiO2薄膜具有较好的光催化能力,可以有效降解有机分子。