磁控溅射氧化钛薄膜的电学特性研究* (2011年)

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文件名称:磁控溅射氧化钛薄膜的电学特性研究* (2011年)

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更新时间:2024-05-28 20:34:29

工程技术 论文

采用直流磁控溅射法在K9玻璃上制备了不同溅射温度和氧气流量的氧化钛(TiOx)薄膜。采用XPS、霍尔效应测试仪对薄膜的组份、载流子浓度和迁移率进行了测试,发现随着溅射氧气流量的增大,薄膜中的氧元素比例增大,载流子浓度减小,迁移率增大。分析了TiOx薄膜的电阻温度系数(TCR)与溅射温度和氧分压的关系,薄膜的电阻率从0.01Ω・cm上升到2 Ω・cm时,TCR值从~1.3%上升到-2.14%。同一温度制备的TiOx薄膜随着氧气流量的增大TCR增大;方阻值相同的TiOx薄膜,随着制备温度的提高其TCR增大。


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