晶圆准备与清洗（Wafer Incoming and Clean）：在开始工艺之前，需要对晶圆表面进行清洗，去除有机物、颗粒、氧化层等污染物，通常采用湿法或干法清洗的方式。
光刻胶涂层（PI-1 Litho）：在晶圆表面涂覆聚酰亚胺（PI）作为绝缘材料，然后进行曝光、显影，制作出凸点的开口位置。
底部金属层沉积（UBM）：在晶圆上沉积底部金属层（UBM），通常是通过磁控溅射的方法制作，以Ti/Cu的种子层最为常见。
第二次光刻（PR-1 Litho）：对光刻胶进行光刻，以决定凸点的形状和尺寸，这一步是打开待电镀的区域。
电镀（Sn-Ag Plating）：使用电镀工艺在开口位置沉积锡银合金（Sn-Ag），形成凸点。此时的凸点未经回流并不是球形的。
去除光刻胶（PR Strip）：完成电镀后，去除剩余的光刻胶（PR），露出之前覆盖的金属种子层。
UBM蚀刻（UBM Etching）：去除除凸点区域以外的UBM金属层（Ti/Cu），只保留在凸点下方的金属。
回流焊（Reflow）：通过回流焊使锡银合金层熔化并重新流动，形成光滑的焊球形状。
芯片安放（芯片倒装与焊接）：回流焊完成后，将带有凸点的芯片对齐贴装在底部芯片或基板上。然后通过回流焊或热压键合工艺进行键合。
底部填充（Underfilling）：在芯片周围滴涂底填料，底填料会通过毛细作用填满芯片与基板之间的间隙，增强芯片与基板的连接强度。
固化（Curing）：将组装件放在固化炉中进行底填料的固化，完成整个倒装芯片的封装过程。
检查：最后进行封装后的检查，确保封装质量。