文件名称：PET基片上射频磁控溅射不同厚度ITO薄膜的光电学特性 (2013年)
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更新时间：2024-06-07 09:42:39
自然科学 论文
采用射频磁控溅射技术，室温下在PET柔性衬底上沉积不同厚度的掺锡氧化铟(ITO)薄膜，样品的结构、形貌和光电学性质分别用x射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法测量．实验结果表明：在其它参数不变的条件下，随着溅射时间的增加薄膜的厚度增大，而薄膜的颗粒大小和表面粗糙度也随之变大；方块电阻、电阻率随样品厚度的增加而减小，相应的迁移率减少，载流子浓度变大．当样品厚度为148 nm时，样品的方块电阻为26．5 Ω・□-1、迁移率为19．1 cm2・V-1・s-1、载流子浓度为8．43×