文件名称：射频磁控溅射沉积ITO薄膜性能及导电机理 (2006年)
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更新时间：2024-06-05 20:17:55
工程技术 论文
将In203和Sn02粉末按质量比1: 1热压烧结制成靶材,采用射频磁控溅射制备了高性能的IT0薄膜。实验结果表明：氢气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVIL有着重要的影响,其最佳值为0.2 Pa。IT0膜的方阻、T VIL和颜色与膜厚有着密切的关系。提高基体温度t,可以改善薄膜的性能,在ts为200℃时,ITO薄膜的 TVIL达到90%以上(含玻璃基体),方阻为13.1Ω/ 口。根据薄膜生长的3个阶段理论,建立了薄膜厚度与电阻率的关系：在IT0薄膜生长过程中,依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Co