文件名称：Si图形衬底的制备及半极性GaN生长 (2010年)
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更新时间：2024-05-27 08:42:09
自然科学 论文
利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001) 平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量GaN薄膜的Bragg角为18. 45 ,表明在Si图形衬底上成功生长出了(1- 101)半极性GaN薄膜.其X射线衍射峰半高宽为1556弧秒.