Si衬底GaN基材料及器件的研究.pdf

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文件名称：Si衬底GaN基材料及器件的研究.pdf

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更新时间：2022-09-25 13:12:48

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GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变