Si衬底GaN基材料及器件的研究.pdf 时间:2022-09-25 13:12:48 【文件属性】: 文件名称:Si衬底GaN基材料及器件的研究.pdf 文件大小:227KB 文件格式:PDF 更新时间:2022-09-25 13:12:48 LabVIEW GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变 立即下载