文件名称：论文研究-SiC衬底GaN基蓝光LED理想因子研究 .pdf
文件大小：224KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-04 04:30:15
MOCVD;SiC衬底;LED;理想因子
SiC衬底GaN基蓝光LED理想因子研究，房硕，梁红伟，使用MOCVD系统在6H-SiC衬底上生长了GaN/InGaN量子阱结构蓝光LED外延片。在20mA电流下样品的正向电压为3.5V，中心发光波长为452nm。通过I-V特性
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