论文研究-大功率LED用SiC衬底刻蚀研究 .pdf

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文件名称：论文研究-大功率LED用SiC衬底刻蚀研究 .pdf

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更新时间：2022-09-11 03:37:50

干法刻蚀

大功率LED用SiC衬底刻蚀研究，衣振州，申人升，本文采用感应耦合等离子体（ICP）设备，以SF6与02作为刻蚀气体,系统研究了大功率发光二极管（LED）用碳化硅（SiC）衬底刻蚀的工艺参数