纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底 (2014年)

【文件属性】：
文件名称：纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底 (2014年)
文件大小：1.16MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-26 14:21:09
自然科学 论文 采用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN纳米柱高度的相关性,成功地在Si基GaN衬底上制备出了GaN纳米柱图形化衬底。SEM表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN纳米柱形貌均匀、排列整齐;室温光致发光光谱分析发现GaN纳米柱图形化衬底与GaN材料相比带边发光峰出现2.1nm的红移,发光强度增强。研究结果表明GaN纳米柱内应力得到释放且具有光子晶体的作用。