3D封装与硅通孔TSV工艺技术

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文件名称：3D封装与硅通孔TSV工艺技术
文件大小：3.73MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-11-18 04:55:38
semicon 3D封装与硅通孔TSV工艺技术，通过硅通孔（TSV）铜互连的立体（3D）垂直整合，目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。硅片通孔（TSV）是三维叠层硅器件技术的最新进展。 TSV是一种重要的开发技术，其利用短的垂直电连接或通过硅晶片的“通孔”，以建立从芯片的有效侧到背面的电连接。TSV提供最短的互连路径，为最终的3D集成创造了一条途径。 TSV技术比引线键合和倒装芯片堆叠提供更大的空间效率和更高的互连密度。当结合微凸块接合和先进的倒装芯片技术时，TSV技术能够在更小的外形尺寸下实现更高水平的功能集成和性能。