文件名称：硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计 (2014年)
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更新时间：2024-06-21 03:32:11
自然科学 论文
在3DSiP(三维系统级封装)的TSV(硅通孔)的工艺制造过程中,热应力会引发TSV周围的载流子迁移率的改变,进而改变3D系统级封装芯片的性能。针对这一问题,提出了一种TSV热应力释放槽结构,以期解决微机电系统(MEMS)应用的大尺寸TSV的热应力问题。在释放槽内外,硅衬底表面的应力得到有效隔离,表面应力大大降低。在结合可行工艺参数的基础上,通过数值模拟对比了3D与2D模型的区别、不同TSV材料的区别,计算应力释放槽的深度、位置、宽度等因素对硅衬底表面应力释放的效果,给出了TSV应力释放槽的布局建议。研究