文件名称：量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响 (2012年)
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更新时间：2024-07-03 20:50:28
自然科学 论文
研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13nm增加到65nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减校较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏。