有源区对TiO2基固态忆阻器电特性的影响

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文件名称：有源区对TiO2基固态忆阻器电特性的影响

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更新时间：2024-05-29 03:45:57

研究论文

在这项研究中，我们探索了有源区对实用的基于TiO2的忆阻器电学特性的影响。 最初，实验证明高电阻状态与有源区域无关，而低电阻状态与有源单元的尺寸成比例。 然后，我们认为这些观察结果可能是由于TiO2活性核内的丝状结构形成和破裂而引起的。 最后，我们研究了IV特性对活动细胞大小的依赖性，并给出了与理论分析相吻合的测量结果。