文件名称：忆阻器的发展
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更新时间：2015-05-28 07:59:47
忆阻器的发展
1. 提出与产生 1971年，柏克莱加州大学蔡少棠预测了忆阻器的存在 电阻： （1） 电感： （2） 电容： （3） 当中q是电荷；I是电流；V是电压；而ΦB则是磁通量。 从而可以推断出还存在一种联系磁通量和电荷的元器件，命名为忆阻器，英文名称为memristor,即为memory resistor 记忆电阻的意思。在忆阻器中，磁通量 受到积累电荷q所影响。磁通量按电荷的改变率称之为“忆阻值” 根据法拉第电磁感应定律及符合函数求导法则，可见忆阻器的电压V是与电流I及忆阻值的积有关。 可见，忆阻器可以作为一个电阻器，但是“电阻”M(q(t))会随着积累的电荷而改变。由 得出这种组件的效果，就是它的电阻会随着通过的电流量而改变，而且就算电流停止了，它的电阻仍然会停留在之前的值，直到接受到反向的电流它才会被推回去。