文件名称：论文研究-量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光学特性的影响 .pdf
文件大小：475KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-05 08:15:29
半导体技术
量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光学特性的影响，林涛，林楠，对于采用AlGaInP/GaInP有源区的670nm波段半导体激光器，可通过量子阱混杂技术制作腔面非吸收窗口来改善其输出光学特性。本文研究了不同
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