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文件名称：论文研究-通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究 .pdf
文件大小：717KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-03 11:10:25
侧墙工艺,快速热退火,浅沟槽刻蚀,器件工艺窗口。
通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究，顾林，，55纳米低功耗平台（55LP）的器件工艺窗口不足是长期存在的一个问题，主要表现为两个方面：1. 器件速度偏慢导致的晶圆边缘（W/E）Mbist�