文件名称：不同织构CVD金刚石膜的Hall效应特性
文件大小：545KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-04-23 19:22:07
金刚石膜; 载流子浓度; 迁移率; 霍尔效应
采用热丝化学气相沉积法在p型硅衬底上制备了不同织构的多晶金刚石膜,使用XRD表征了CVD金刚石膜的结构特征,研究了退火后不同织构金刚石膜的电流特性,使用Hall效应检测仪研究了金刚石膜的霍尔效应特性及随温度变化的规律,结果表明所制备的金刚石膜是p型材料,载流子浓度随着温度的降低而增加,迁移率随着温度的降低而减小.室温下[100]织构金刚石薄膜的载流子浓度和迁移率分别为4.3×104cm3和76.5cm2/V·s.